申请/专利权人：北京大学

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117723575A

主分类号：G01N23/207

分类号：G01N23/207;G01N23/203;G01N23/20;G01N23/04;G01N23/2251

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明属于材料缺陷表征领域，提供一种评估材料辐照损伤程度的方法，包括以下步骤：1提供辐照样品；2利用EBSD获取所述辐照样品的晶粒取向信息，并根据所述晶粒取向，挑选目标晶粒，调整电子枪加速电压值和所述辐照样品的位置，以对所述目标晶粒进行ECCI表征；3对比STEM表征结果中所述辐照样品缺陷的总面密度ρ1与ECCI表征结果中所述辐照样品缺陷的总面密度ρ2是否满足|ρ1‑ρ2|≤1×1017个m2，若否，则执行步骤4；4调整电子枪加速电压，以对所述目标晶粒进行ECCI表征；5重复步骤3‑4，直至ρ1和ρ2满足|ρ1‑ρ2|≤1×1017个m2。由此，该方法可以便捷地评估块体材料的辐照损伤程度，并快速筛查经离子辐照后的材料。

主权项：1.一种评估材料辐照损伤程度的方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供辐照样品；2利用EBSD获取辐照样品的晶粒取向信息，并根据所述晶粒取向，挑选目标晶粒，调整电子枪加速电压和辐照样品的位置，以对所述目标晶粒进行ECCI表征；3对比STEM表征结果中所述辐照样品缺陷的总面密度ρ1与ECCI表征结果中所述辐照样品缺陷的总面密度ρ2是否满足|ρ1-ρ2|≤1×1017个m2，若否，则执行步骤4；4调整电子加速电压，以对所述目标晶粒进行ECCI表征；5重复步骤3-4，直至ρ1和ρ2满足|ρ1-ρ2|≤1×1017个m2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 评估材料辐照损伤程度的方法

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