申请/专利权人:武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司
申请日:2023-12-20
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN117721539A
主分类号:C30B29/46
分类号:C30B29/46;C30B29/68;C30B25/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开
摘要:本发明涉及一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法,所述具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶为正六边形形状的单层单晶纳米片,等效直径为5~20μm,厚度为4~25nm。本发明提供的具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶为厚度可控的大尺寸单晶,最低可至单层,其作为二维层面下的光电材料具有一定的应用前景。
主权项:1.一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶,其特征在于,其为正六边形形状的单层单晶纳米片,等效直径为5~20μm,厚度为4~25nm。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司 一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法
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