申请/专利权人：HPSP有限公司

申请日：2023-09-18

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727654A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：["20220916 KR 10-2022-0117353"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供一种高压基板处理装置，包括：第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；第二腔室，被形成为以围绕所述第一腔室的状态加热所述第一腔室；第三腔室，具备配置成围绕第二腔室的一部分的第3‑1腔室、以及配置成围绕第二腔室的另一部分的第3‑2腔室；以及供气模块，被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三腔室内，向第3‑1腔室和第3‑2腔室的每一个和所述第二腔室之间的空间以低于所述第一压力及所述第二压力且高于所述第三腔室的外部的压力的第三压力供给防御气体。

主权项：1.一种高压基板处理装置，其中，包括：第一腔室，其被形成为容纳待处理的物体；第二腔室，其被形成为以围绕所述第一腔室的状态加热所述第一腔室；第三腔室，具备配置成围绕所述第二腔室的一部分的第3-1腔室、以及配置成围绕所述第二腔室的另一部分的第3-2腔室；以及供气模块，其被构成为向所述第一腔室内以第一压力供给用于处理所述物体的工艺气体，在所述第二腔室和所述第一腔室之间的空间以与所述第一压力相关地设定的第二压力供给保护气体，并且，为了阻止外部空气流入所述第三腔室内，向所述第3-1腔室和所述第3-2腔室的每一个和所述第二腔室之间的空间以低于所述第一压力及所述第二压力且高于所述第三腔室的外部的压力的第三压力供给防御气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： HPSP有限公司 高压基板处理装置

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