申请/专利权人：青岛旭芯互联科技研发有限公司;东旭科技集团有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727841A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L21/683;H01L33/48;H01L33/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供一种防顶伤倒装LED的制备方法，包括在PSS图形化衬底上依次生长外延层，N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、二氧化硅层、铟锡氧化物层、金属电极以及DBR层，并在DBR层上设置顶针保护块。通过上述技术方案有效地解决了现有技术中的倒装LED芯片在固晶过程中芯片与蓝膜分离而导致的芯片的布拉格反射镜层容易划伤的问题。

主权项：1.一种防顶伤倒装LED的制备方法，其特征在于，包括：S10在PSS图形化衬底上依次生长外延层，N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层；S20在步骤S10基础上进行晶圆清洗，清洗后使用PECVD设备沉降二氧化硅；S30在步骤S20基础上，在二氧化硅远离P型氮化镓层的表面，涂布正性光刻胶，并曝光，显影，显影后部分二氧化硅被保护，部分裸露于表面；S40在步骤30基础上，进行二氧化硅的刻蚀与去胶；S50在步骤S40基础上的刻蚀后的表面进行铟锡氧化物蒸镀形成铟锡氧化物层；S60在步骤S50的基础上，在铟锡氧化物层的表面涂布正性光刻胶，所述正性光刻胶位于二氧化硅的上方，且面积大于二氧化硅的面积，并曝光、显影，显影后部分铟锡氧化物被保护，部分裸露于表面；S70在步骤S60的基础上，进行铟锡氧化物的刻蚀与去胶；S80在步骤S70的基础上，进行N电极平台的刻蚀与去胶，刻蚀至部分N型氮化镓被刻蚀掉，去胶后有光刻胶保护的区域未被刻蚀，无光刻胶保护区域被蚀刻；S90在步骤S80的基础上，进行切割道工艺，涂布正性光刻胶，并曝光、显影，显影后部分N型氮化镓外延层裸露与表面，其他区域被光刻胶保护；S100在步骤S90的基础上，进行切割道刻蚀，该步骤刻蚀至图形化衬底，刻蚀后去胶；S110在步骤S100的基础上，进行金属接触电极工艺，涂布负性光刻胶，并曝光、显影，部分光刻胶被显影掉，露出芯片表面；S120在S110的基础上，进行晶圆的离子清洗与酸洗，并沉积金属与剥离；S130在S120的基础上，进行布拉格反射镜层的沉积；S140在S130的基础上，涂布正性光刻胶，并曝光，显影；S150在S140的基础上，进行DBR膜层的干法刻蚀与去胶工艺；S160在S150的基础上，进行封装与锡膏的接触电极工艺，涂布负性光刻胶，并曝光，显影，显影后露出部分包括DBR通道的芯片表面；S170在S160的基础上，进行晶圆的离子清洗与酸洗，并沉积金属，并剥离步骤S160的负性光刻胶，所述沉积金属包括金属焊盘和顶针保护块。

全文数据：

权利要求：

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