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【发明公布】一种高阻值氮化硅陶瓷材料、陶瓷支柱及其制备方法_国网智能电网研究院有限公司_202311787960.2 

申请/专利权人:国网智能电网研究院有限公司

申请日:2023-12-22

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117720351A

主分类号:C04B35/58

分类号:C04B35/58

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要:本发明属于氮化硅陶瓷复合材料技术领域,具体涉及一种气体内绝缘用高阻值氮化硅陶瓷材料、陶瓷支柱,并进一步公开其制备方法。本发明所述高阻值氮化硅陶瓷材料,以α相氮化硅粉为主要原料、β相氮化硅晶须为增强相,并添加烧结助剂和粘结剂,所述氮化硅陶瓷材料有效解决了现有氮化硅陶瓷材料烧结温度高、致密化难度大、高温电阻率不稳定、韧性不足、精密加工困难等问题,在超特高气体绝缘支撑领域具有更高的应用潜力。

主权项:1.一种高阻值氮化硅陶瓷材料,其特征在于,所述材料以其总量计,包括如下质量含量的原料成分:α相氮化硅粉80-90wt%、β相氮化硅晶须1-3wt%、烧结助剂6-16wt%、粘结剂1-2wt%。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国网智能电网研究院有限公司 一种高阻值氮化硅陶瓷材料、陶瓷支柱及其制备方法

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