申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2019-08-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN110911268B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/04;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;B23K26/08

优先权：["20180914 JP 2018-172314"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.08.31#实质审查的生效;2020.03.24#公开

摘要：提供晶片的生成方法和激光加工装置，生成在小面区域与非小面区域之间没有阶梯差的晶片。从SiC锭生成SiC晶片的方法包含如下工序：小面区域检测工序，从SiC锭的上表面检测小面区域；坐标设定工序，设定小面区域与非小面区域的边界的X坐标Y坐标；以及加工进给工序，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离SiC锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，一边对SiC锭照射激光光线一边将SiC锭和聚光点在X轴方向上相对地进行加工进给，在SiC锭的内部形成带状的剥离层。在加工进给工序中，相对于对非小面区域照射激光光线时的激光光线的能量和聚光器的位置，使对小面区域照射激光光线时的激光光线的能量上升，并使聚光器的位置上升。

主权项：1.一种晶片的生成方法，从SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：平坦面形成工序，对SiC锭的上表面进行磨削而形成为平坦面；坐标设定工序，在实施了该平坦面形成工序之后，从SiC锭的上表面对小面区域进行检测，并且将如下的两个方向分别设为X轴、Y轴而设定小面区域与非小面区域的边界的X坐标和Y坐标：c面相对于SiC锭的上表面倾斜偏离角，所述X轴是与在该c面与该平坦面之间形成偏离角的方向垂直的方向，所述Y轴是与该X轴垂直的方向；加工进给工序，在实施了该坐标设定工序之后，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离SiC锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，一边从激光加工装置的聚光器对SiC锭照射激光光线一边将SiC锭和该聚光点在该X轴方向上相对地进行加工进给，从而形成使SiC分离成Si和C并且使裂纹沿着该c面延伸而得的带状的剥离层；分度进给工序，将SiC锭和该聚光点在该Y轴方向上相对地进行分度进给而在该Y轴方向上并列地设置该带状的剥离层；以及剥离工序，在实施了该加工进给工序和该分度进给工序之后，从该剥离层剥离要生成的晶片，在该加工进给工序中，根据通过该坐标设定工序而设定的该小面区域与该非小面区域的边界的X坐标和Y坐标，相对于对该非小面区域照射激光光线时的激光光线的能量和该聚光器的位置，使对该小面区域照射激光光线时的激光光线的能量上升，并且使该聚光器的位置上升。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 晶片的生成方法和激光加工装置

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