申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2020-01-16

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111816238B

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00

优先权：["20190411 KR 10-2019-0042510"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：阻变存储器件可以包括多个存储单元和控制电路块。存储单元可以连接在全局字线和全局位线之间。控制电路块可以控制存储单元。控制电路块可以包括写入脉冲控制块。写入脉冲控制块可以包括连接在全局字线与选定存储单元之间的高电阻路径电路和旁通电路。写入脉冲控制块可以根据选定存储单元的位置来选择性地将高电阻路径电路和旁通电路中的任意一个使能。

主权项：1.一种阻变存储器件，包括：多个存储单元，其电耦接在全局字线与全局位线之间；以及控制电路块，其用于控制所述多个存储单元，其中，所述控制电路块包括：写入脉冲控制块，其电耦接在所述全局字线与所述多个存储单元之中的选定存储单元之间，以根据所述选定存储单元的位置来控制流过所述选定存储单元的电流，其中，所述写入脉冲控制块包括：高电阻路径电路；以及旁通电路，其中，所述高电阻路径电路和所述旁通电路中的任意一个根据所述选定存储单元的位置而被选择性地连接在所述全局字线与所述选定存储单元之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 阻变存储器件

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