申请/专利权人：TDK株式会社

申请日：2020-09-16

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112904246B

主分类号：G01R33/09

分类号：G01R33/09

优先权：["20191119 JP 2019-208486"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.06.22#实质审查的生效;2021.06.04#公开

摘要：一种磁传感器，其包括：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将磁传感器芯片一体地密封的密封部，磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层。密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，在从第1面侧的俯视图中的密封部的形状是大致四边形，该大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与第1边和第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，在从密封部的第1面侧的俯视图中，在未对磁阻效应元件施加外部磁场的状态下的钉扎层的磁化方向相对于通过使用在第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。

主权项：1.一种磁传感器，其特征在于，具备：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将所述磁传感器芯片一体地密封的密封部，所述磁阻效应元件包含：磁化方向能够根据外部磁场变化的自由层、和磁化方向固定的钉扎层，所述密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，在从所述第1面侧的俯视图中的所述密封部的形状是大致四边形，所述大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与所述第1边和所述第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，在从所述密封部的所述第1面侧的俯视图中，在未对所述磁阻效应元件施加所述外部磁场的状态下的所述钉扎层的磁化方向相对于通过使用在所述第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜，在从所述密封部的所述第1面侧的俯视图中，在未对所述磁阻效应元件施加所述外部磁场的状态下的所述自由层的所述磁化方向和所述钉扎层的所述磁化方向大致正交。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TDK株式会社 磁传感器

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