申请/专利权人：杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院

申请日：2021-06-21

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113628650B

主分类号：G11C11/413

分类号：G11C11/413;G11C11/419

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开

摘要：本申请公开了一种静态随机存取存储器单元结构及静态随机存取存储器。该静态随机存取存储器单元结构包括第一反相器、第二反相器、第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管和第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管；第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端，第二反相器的输出端连接第一反相器的输入端；第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管的源极漏极与第一反相器的输出端相连接，第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管的漏极源极连接写位线；第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管的栅极与第二反相器的输出端相连接。本申请采用全耗尽绝缘体上硅MOS管，可以保证保持状态下的静态噪声裕度、提升读状态下的抗干扰能力，并在高密度集成的情况下提高存储器读出及写入时的速度。

主权项：1.一种静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，包括第一反相器、第二反相器、第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管和第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管；所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述第一反相器的输入端；所述第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管的源极漏极与所述第一反相器的输出端相连接，所述第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管的漏极源极连接写位线，所述第三全耗尽绝缘体上硅NMOS管的栅极和背栅分别连接写字线；所述第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端相连接，所述第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管的背栅连接读字线；所述第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管的漏极源极连接读位线，所述第四全耗尽绝缘体上硅NMOS管的源极漏极连接读字线；所述第一反相器包括第一全耗尽绝缘体上硅PMOS管和第一全耗尽绝缘体上硅NMOS管，所述第一全耗尽绝缘体上硅PMOS管的背栅与所述第一全耗尽绝缘体上硅PMOS管的源极相连接，所述第一全耗尽绝缘体上硅NMOS管的背栅与所述第一全耗尽绝缘体上硅NMOS管的源极相连接；所述第二反相器包括第二全耗尽绝缘体上硅PMOS管和第二全耗尽绝缘体上硅NMOS管，所述第二全耗尽绝缘体上硅PMOS管的背栅与所述第二全耗尽绝缘体上硅PMOS管的源极相连接，所述第二全耗尽绝缘体上硅NMOS管的背栅与所述第二全耗尽绝缘体上硅NMOS管的源极相连接。

全文数据：

权利要求：

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