申请/专利权人：中南大学

申请日：2022-07-06

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN115241306B

主分类号：H01L31/032

分类号：H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/108;H01L21/365

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.11.11#实质审查的生效;2022.10.25#公开

摘要：本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体，铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3，且3x＝2y+2z。上述的铋硒硫半导体中，Bi2Se3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Se3中，生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体，BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。

主权项：1.一种铋硒硫半导体，其特征在于，所述铋硒硫半导体为晶体，所述铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，x=2；y=2.15；z=0.85。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中南大学 一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器

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