申请/专利权人：苏州中科重仪半导体材料有限公司

申请日：2023-09-01

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117005025B

主分类号：C30B25/08

分类号：C30B25/08;C30B25/12;C30B25/16;C30B30/04;C23C16/458

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.11.24#实质审查的生效;2023.11.07#公开

摘要：本说明书实施例提供一种磁悬浮自转公转反应室装置，该装置包括石墨基础、主石墨回转体、多个基片承载体、多组磁机构、加热器以及处理器；石墨基础包括石墨基座和石墨压圈；多组磁机构包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构；加热器安装于主石墨回转体、基片承载体与石墨基座之间；处理器被配置为：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的自转转速旋转。

主权项：1.一种磁悬浮自转公转反应室装置，其特征在于，包括石墨基础、主石墨回转体、多个基片承载体、多组磁机构、加热器以及处理器；所述石墨基础包括石墨基座和石墨压圈；所述多组磁机构包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构，所述第一支承磁机构约束所述主石墨回转体径向的运动，所述第一驱动磁机构驱动所述主石墨回转体，所述第二支承磁机构约束所述基片承载体径向及轴向的运动，所述第二驱动磁机构驱动所述基片承载体；所述加热器安装于所述主石墨回转体、基片承载体与所述石墨基座之间；所述处理器被配置为：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制所述第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动所述主石墨回转体以设定的所述公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制所述第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动所述基片承载体以设定的所述自转转速旋转。

全文数据：

权利要求：

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