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【发明授权】一种热处理装置及方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202111406671.4 

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十一研究所

申请日:2021-11-24

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN114300572B

主分类号:H01L31/18

分类号:H01L31/18

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.19#授权;2022.04.26#实质审查的生效;2022.04.08#公开

摘要:本发明公开了一种热处理装置及方法,包括,加热炉和反应釜;所述加热炉,具有与所述反应釜相匹配的第一腔体;所述反应釜,形状与所述腔体匹配,具有第一空间,所述第一空间内设置有汞源、支撑杆和样品支架;所述反应釜,设置有进气口和出气口,所述进气口和所述出气口上连接有管路,用于在进行热处理时,提供所需气体;所述汞源,与所述支撑杆连接,用于在进行热处理时,为样品提供汞蒸气;所述支撑杆,与所述汞源连接,并由所述第一空间内部向外延伸;所述样品支架,用于盛放所述样品,且位置与所述汞源相对应。本公开的热处理装置结构简单,并且不需要多个加热区。

主权项:1.一种热处理装置,其特征在于,包括,加热炉和反应釜;所述加热炉,具有与所述反应釜相匹配的第一腔体;所述反应釜,形状与所述腔体匹配,具有第一空间,所述第一空间内设置有汞源、支撑杆和样品支架;所述反应釜,设置有进气口和出气口,所述进气口和所述出气口上连接有管路,用于在进行热处理时,提供所需气体;所述汞源,与所述支撑杆连接,用于在进行热处理时,为样品提供汞蒸气;所述支撑杆,与所述汞源连接,并由所述第一空间内部向外延伸;所述样品支架,用于盛放所述样品,且位置在所述汞源的正下方;所述支撑杆,其内为中空结构,其延伸出所述第一空间的外部设置有进水口和出水口,用于在进行热处理时,为样品提供冷却循环水;还包括样品保护壳,所述样品保护壳,用于在所述样品放置在所述样品支架上之后,遮罩所述样品支架,四周具有通气孔,以在进行热处理时,提高样品的汞压的均匀性;所述反应釜,其与所述加热炉不接触的外壁上设置有卡槽,所述卡槽用于与外设的卡钳配合,以在进行热处理后,利用外设的卡钳配合所述卡槽将所述反应釜抽离所述第一腔体;所述进气口和所述出气口连接的管路上设置有阀门,关闭所述阀门的情况下,所述第一空间形成密闭空间,通过所述阀门控制所述进气口和所述出气口通入的气体压力,与样品热处理过程中的汞蒸气,一起控制反应釜内部的压力;所述支撑杆通过连接杆与所述汞源连接;所述连接杆,其长度可调,以实现改变所述汞源到所述样品支架之间的距离,控制两者的温度差。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种热处理装置及方法

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