申请/专利权人：北京石墨烯技术研究院有限公司

申请日：2022-05-25

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN114923608B

主分类号：G01L1/22

分类号：G01L1/22;A61C7/00;A61C7/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.09.06#实质审查的生效;2022.08.19#公开

摘要：本发明公开了一种测力薄膜传感器、牙齿矫正器及制备方法。测力薄膜传感器包括依次顺序层叠连接的基底、绝缘层、镍基碳膜电阻栅层及保护层，镍基碳膜电阻栅层连接有第一电极与第二电极。测力薄膜传感器的制备方法，包括如下步骤：对基底清洁干燥处理；在基底上制备绝缘层；在绝缘层上制备镍基碳膜电阻栅层，制备与镍基碳膜电阻栅层连接的第一电极与第二电极；在镍基碳膜电阻栅层上制备保护层。牙齿矫正器包括矫正器本体、导引线以及测力薄膜传感器，测力薄膜传感器设置于矫正器本体的内侧壁，第一电极、第二电极分别连接有导引线。本发明的测力薄膜传感器能够降低金属薄膜的电阻温度漂移系数，降低测量误差，提高矫正力大小的测量精度。

主权项：1.一种测力薄膜传感器，其特征在于，包括依次顺序层叠连接的基底、绝缘层、镍基碳膜电阻栅层以及保护层，所述镍基碳膜电阻栅层连接有第一电极与第二电极，所述基底为柔性薄膜材料制备而成的柔性基底，所述基底的厚度为0.003～0.01mm，所述基底的表面粗糙度不大于200nm；所述绝缘层包括依次顺序层叠连接的第一绝缘子层、第二绝缘子层以及第三绝缘子层，所述第一绝缘子层为Al2O3层，所述第二绝缘子层为Si3N4层，所述第三绝缘子层为Al2O3层。

全文数据：

权利要求：

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