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【发明授权】用于溅射沉积的方法和装置_戴森技术有限公司_202111134658.8 

申请/专利权人:戴森技术有限公司

申请日:2021-09-27

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN114318260B

主分类号:C23C14/35

分类号:C23C14/35;H01J37/32

优先权:["20200930 GB 2015462.1"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.19#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要:公开了一种在表面上制造材料层的方法。该方法包括螺旋等离子体源在等离子体产生区中并且沿着等离子体产生轴线产生远离至少一个溅射靶的等离子体的步骤。螺旋等离子体源包括a一个或多个天线和b被布置成产生靠近磁体的磁场的一个或多个永磁体,该磁场沿着等离子体产生轴线并在等离子体产生区中。等离子体导致材料从溅射靶喷射。该方法包括将从溅射靶喷射的材料沉积到基底的表面上或由基底支撑的表面上以在表面上形成材料层的步骤。

主权项:1.一种在表面上制造材料层的方法,所述方法包括以下步骤:螺旋等离子体源在等离子体产生区中并沿着等离子体产生轴线产生远离至少一个溅射靶的等离子体,螺旋等离子体源包括(a)一个或多个天线和(b)一个或多个永磁体,布置成产生靠近磁体的磁场,所述磁场沿着等离子体产生轴线并在等离子体产生区中;等离子体导致材料从溅射靶喷射出;以及将从溅射靶喷射出的材料沉积到基底的表面上或由基底支撑的表面上以在表面上形成材料层,其中所述一个或多个永磁体包括环形磁体或磁体环,所述环形磁体或磁体环限定从环径向向内延伸的内部区域和从环径向向外延伸的外部区域,磁体环由磁体周向间隔开而形成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 戴森技术有限公司 用于溅射沉积的方法和装置

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