申请/专利权人:杭州中为光电技术有限公司
申请日:2023-03-03
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN116255927B
主分类号:G01B11/24
分类号:G01B11/24;G01V8/10
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.19#授权;2023.06.30#实质审查的生效;2023.06.13#公开
摘要:本发明实施例提供一种硅棒检测方法及检测设备,所述硅棒检测方法包括在硅棒的外周轮廓上采集多个数据点,多个数据点沿硅棒的周向间隔布置;依次连接多个数据点以形成拟合曲线,将拟合曲线分成多个曲线段,并计算每个曲线段的斜率,若相邻两个曲线段满足|ki+1‑ki|>ε,ε为突变判断阈值,则第i段曲线段和第i+1段曲线段在硅棒的外周轮廓上对应的区域内具有晶线。本发明实施例的硅棒检测方法在硅棒的外周轮廓上采集多个数据点以形成拟合曲线,根据拟合曲线的相邻两个曲线段的斜率差值判断区域内是否具有晶线,检测的准确性较高。
主权项:1.一种硅棒检测方法,其特征在于,包括:S1、在硅棒的外周轮廓上采集多个数据点,多个所述数据点沿所述硅棒的周向间隔布置;S2、依次连接所述多个数据点以形成拟合曲线,将所述拟合曲线分成多个曲线段,并计算每个所述曲线段的斜率,若相邻两个所述曲线段满足|ki+1-ki|>ε,则第i段曲线段和第i+1段曲线段在所述硅棒的外周轮廓上对应的区域内具有晶线,若相邻两个所述曲线段满足|ki+1-ki|≤ε,则第i段曲线段和第i+1段曲线段在所述硅棒的外周轮廓上对应的区域内不具有晶线,其中i为大于0的常数,ki为第i段曲线段的斜率,ki+1为第i+1段曲线段的斜率,ε为突变判断阈值。
全文数据:
权利要求:
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