申请/专利权人：江苏飞特尔通信有限公司;深圳飞特尔科技有限公司

申请日：2023-06-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN116782440B

主分类号：H05B3/20

分类号：H05B3/20;H05B3/03

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.10.10#实质审查的生效;2023.09.19#公开

摘要：本发明公开了一种用于LTCC相变射频开关薄膜微加热器的制备方法，涉及薄膜加热器领域技术领域。该方法主要包括负胶剥离路线方法和正胶刻蚀路线方法，为进一步缩小相变开关的功耗及提升开关切换速度提供新的思路，本发明与现有技术相比，最大的优势在于本发明中的薄膜微加热器的结构部分由加热电阻薄膜部分及加热电极结构部分构成，加热电极结构部分是用来驱动脉冲加热，使得脉冲的能量能够更加集中于加热电极结构上，使得同样的功率能够具有更高的加热效率。

主权项：1.一种用于LTCC相变射频开关薄膜微加热器的制备方法，其特征在于，通过负胶剥离路线或者正胶刻蚀路线方法实现对薄膜微加热器的制作；所述负胶剥离路线方法包括：步骤1：在经过清洗过后的基片上利用负光刻胶通过涂胶显影曝光实现将加热电阻薄膜器件的图形转移到基片上，采用磁控溅射的方法沉积加热电阻薄膜；步骤2：使用剥离的方法去除基片上的光刻胶，使得除掩模版上的图形以外的区域lift-off漂落在去胶的溶液中，实现只有加热电阻薄膜器件的图形所在区域的加热电阻薄膜留在基片上，得到加热电阻薄膜器件；步骤3：对步骤2中的基片进行清洗后，对基片进行第二次光刻，将加热电极结构的图形转移到基片上，并根据掩膜板的对位标记进行对准后，采用磁控溅射的方法在基片上沉积加热电极薄膜；步骤4：使用剥离的方法去除加热电极结构的图形外的第二次光刻光刻胶，得到加热电极结构，最后连接加热电阻薄膜器件和加热电极结构，从而完成薄膜微加热器的制作；所述正胶刻蚀路线方法包括：步骤一：在经过清洗过后的基片上通过磁控溅射的方法溅射具有一定厚度的加热电阻薄膜；步骤二：对沉积加热电阻薄膜后的基片利用正光刻胶进行涂胶曝光显影，在加热电阻薄膜上获得加热电阻薄膜器件的图形；步骤三：根据加热电阻薄膜的性质选择相应的刻蚀溶液并根据加热电阻薄膜器件的图形进行刻蚀，在基板上刻蚀出加热电阻薄膜器件以及留下对位标记；步骤四：再次对基片进行清洗，采用磁控溅射的方法沉积加热电极薄膜；步骤五：对沉积加热电极薄膜后的基片利用正光刻胶进行涂胶曝光显影，在加热电极薄膜上获得加热电极结构的图形，根据掩膜板的对位标记进行对准；步骤六：根据加热电极薄膜的性质选择相应的刻蚀溶液并根据加热电极结构的图形进行刻蚀得到加热电极结构，在刻蚀完成后，加热电极结构与加热电阻薄膜器件连接从而完成薄膜微加热器的制作；所述薄膜微加热器包括两个对称间隔设置的加热电阻薄膜器件，两个所述加热电阻薄膜器件之间设置有加热电极结构，两个加热电阻薄膜器件和加热电极结构电连接后呈哑铃结构；所述加热电极结构也呈哑铃结构，加热电极结构的两侧分别与两个所述加热电阻薄膜器件电性连接，加热电极结构中间裸露的部分为长方形结构，长方形结构的长度Lh＝20um，宽度Wh＝4um；两个所述加热电阻薄膜器件的长度Le＝80um，宽度We＝80um。

全文数据：

权利要求：

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