申请/专利权人：天津德星智能科技有限公司

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117544066B

主分类号：H02P29/024

分类号：H02P29/024;B62D5/04;H02P29/028;H02P29/68;H02H7/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明提供了一种EPS系统中转向电机的半堵转保护方法，对每一个MOSFET都设置一个安全状态变量S，根据每个MOSFET实时的电流情况和MOSFET的环境温度值，通过一定的规则映射到每个MOSFET的安全状态变量S上，通过对此安全状态变量S进行判断，决定是否开启保护以及设定保护程度的大小。本发明根据每个MOSFET的安全状态变量S的变化判断系统是否开启降容保护并动态改变降容比，提升了发生半堵转后EPS转向系统自保护的实时性和可靠性；降容比的动态变化实现了在降容保护策略下，转向手感平滑细腻，无手感上的波动，保证了在半堵转状态下EPS的操纵性能。

主权项：1.EPS系统中转向电机的半堵转保护方法，其特征在于，包括：计算获得每个检测周期T，转向控制器的6个MOSFET各自对应的有效电流和值i_add，以及所有MOSFET共同的环境温度值t；所述检测周期T=δ×m，其中，δ为转向控制器的控制周期，m为大于1的正整数；所有MOSFET共同的环境温度值t是通过与转向控制器的6个MOSFET位于同一块控制电路板的温度传感器测得的温度值；单个MOSFET在单个检测周期T流经自身的有效电流和值i_add根据式1计算获得： 式1；其中，Ii为单个MOSFET在一个控制周期δ内的电流采样值，Mi为该控制周期δ的PWM占空比，i为由1至m的正整数；根据当前检测周期T的单个MOSFET流过的有效电流和值i_add，查找预先创建的有效电流和值区间索引表，判断该有效电流和值i_add所属的区间，并得到该区间对应转换的电流热增量deta_i；根据当前检测周期T的环境温度值t，查找预先创建的环境温度值区间索引表，判断该环境温度值t所属的区间，并得到该区间对应转换的温度热增量deta_t；根据式2计算获得每个MOSFET的安全状态变量S： 式2；式2中，Slast为当前检测周期之前的所有检测周期的电流热增量deta_i和温度热增量deta_t之和；若6个MOSFET中的任何一个MOSFET的安全状态变量S大于等于预先设定的预开启阈值Son时，则根据式3计算获得该MOSFET在本检测周期的降容比k： 式3；式中安全状态变量S的取值最大不超过预先设定的降容极限阈值Skeep；每个检测周期对6个MOSFET的降容比k进行比较，选取最小的降容比k来降低q轴的给定目标电流。

全文数据：

权利要求：

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