申请/专利权人：三微电子科技(苏州)有限公司

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220629310U

主分类号：H03F3/45

分类号：H03F3/45;H03F3/193;H03F1/56;H03F1/30;H03F1/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本实用新型属于射频放大器技术领域，具体公开了一种具备温度及工艺偏差补偿的CMOS共源共栅射频放大器，包括偏置电路和放大级电路，偏置电路采用温度及工艺偏差补偿偏置电路，当环境温度发生变化时，偏置电路可采集到放大管的实时温度，并产生新的偏置电压，实现对放大级电路偏置状态的动态调整，降低其增益及功耗随温度变化的波动；同样，当芯片制造过程中，晶圆不同区域出现工艺参数分布偏差时，同一芯片偏置电路与放大级电路放大管区域相同，产生工艺偏差相同，偏置电路可根据工艺偏差产生新的偏置电压，实现对放大级电路偏置状态的动态调整，降低放大器增益及功耗随工艺偏差的波动。本实用新型适用于WiFi射频前端模块中低噪声放大器。

主权项：1.一种具备温度及工艺偏差补偿的CMOS共源共栅射频放大器，其特征在于，包括偏置电路和放大级电路；放大级电路包括共源管、共栅管、扼流电感、输入匹配网络和输出匹配网络；共源管的漏极与共栅管的源极相连，共源管的源极接地，共源管的栅极一方面连接输入匹配网络、另一方面与偏置电路的第一偏置电压输出端相连；共栅管的漏极一方面通过扼流电感连接电源电压、另一方面连接输出匹配网络；共栅管的栅极与偏置电路的第二偏置电压输出端相连；偏置电路由第一偏置支路和第二偏置支路组成；第一偏置支路包括依次串接的第一电流源、第一电阻、第二电阻，第二电阻的一端接地；还包括第一偏置管和第二偏置管；第一偏置管和第二偏置管均采用MOS管；第一电阻的一端一方面与第一电流源的输出端相连、另一方面与第二偏置管的漏极相连，第二偏置管的源极与第一偏置管的漏极相连，第一偏置管的源极接地；第一偏置管的栅极一方面与第一电阻、第二电阻的公共端相连，另一方面作为偏置电路的第一偏置电压输出端；第二偏置支路包括依次串接的第二电流源、第三电阻、第四电阻和二极管形式串接的MOS管单元；MOS管单元由串接的第一～第nMOS管组成，第一MOS管的漏极与第四电阻相连，第m-1MOS管的源极与第mMOS管的漏极相连，第nMOS管的源极接地；其中，n≥2，m∈[2，n]；第二偏置管的栅极一方面与第三电阻、第四电阻的公共端相连、另一方面作为偏置电路的第二偏置电压输出端；第一电流源采用与温度无关的电流源，第二电流源采用正温度系数电流源。

全文数据：

权利要求：

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