申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2023-05-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750778A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/10;H10N50/80

优先权：["20220921 JP 2022-150281"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明的实施方式涉及存储装置。实施方式的存储装置具备：第1导电层、第2导电层、第3导电层、设在第1导电层与第2导电层之间的电阻变化层、和设在第2导电层与第3导电层之间的开关层。在第1导电层与第3导电层之间设置有第2导电层。开关层包含第1区域、第2区域、和位于第1区域与第2区域之间的第3区域，第1区域含有选自Sn、Ga、Zn、Ta、Ti及In中的第1元素和O或N，第2区域含有选自Sn、Ga、Zn、Ta、Ti及In中的第2元素和O或N，第3区域含有选自Zr、Y、Ce、Hf、Al、Mg及Nb中的第3元素、和O或N、和选自Te、Sb、Bi、Ti及Zn中的金属元素。

主权项：1.一种存储装置，其具备：第1导电层、第2导电层、第3导电层、设在所述第1导电层与所述第2导电层之间的电阻变化层、和设在所述第2导电层与所述第3导电层之间的开关层；在所述第1导电层与所述第3导电层之间设置有所述第2导电层；所述开关层包含第1区域、第2区域、和设在所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域；所述第1区域含有选自锡Sn、镓Ga、锌Zn、钽Ta、钛Ti及铟In中的至少一种第1元素和氧O或氮N；所述第2区域含有选自锡Sn、镓Ga、锌Zn、钽Ta、钛Ti及铟In中的至少一种第2元素和氧O或氮N；所述第3区域含有选自锆Zr、钇Y、铈Ce、铪Hf、铝Al、镁Mg及铌Nb中的至少一种第3元素、和氧O或氮N、和选自碲Te、锑Sb、铋Bi、钛Ti及锌Zn中的至少一种金属元素。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 存储装置

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