申请/专利权人：深圳三地一芯电子股份有限公司

申请日：2023-11-03

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117746963A

主分类号：G11C29/56

分类号：G11C29/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种自我老化方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：将需要进行老化测试的存储控制芯片连接；从若干存储控制芯片中选择其中一个作为主设备，其余存储控制芯片作为从设备；对所有存储控制芯片进行初始化，其中作为主设备的存储控制芯片负责对所有作为从设备的存储控制芯片进行初始化，其中一个作为从设备的存储控制芯片负责对作为主设备的存储控制芯片进行初始化；两两配对存储控制芯片，已配对的存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试。本申请省去主机、闪存颗粒参与，仅依靠存储控制芯片与存储控制芯片之间通信交互即可实现老化，避免主机长时间处于极端环境下对其造成损坏。省去主机、闪存颗粒也能够降低老化测试成本。

主权项：1.一种自我老化方法，其特征在于，包括：将需要进行老化测试的存储控制芯片连接；从若干所述存储控制芯片中选择其中一个作为主设备，其余所述存储控制芯片作为从设备；对所有所述存储控制芯片进行初始化，其中作为主设备的所述存储控制芯片负责对所有作为从设备的所述存储控制芯片进行初始化，其中一个作为从设备的所述存储控制芯片负责对作为主设备的所述存储控制芯片进行初始化；两两配对所述存储控制芯片，已配对的所述存储控制芯片以交替读写操作的方式执行老化测试。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳三地一芯电子股份有限公司 自我老化方法、装置、设备及存储介质

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD