申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747428A

主分类号：H01L21/324

分类号：H01L21/324;H01L21/331;H01L29/73;H01L21/67;H01L21/66;G01R31/00;G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管；对样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，当样本双极晶体管的基极电流变化量随电流密度增大而减小，将对应的电流密度及偏置电压设置为辐射退火条件；将辐射退火条件施加到辐照后的待退火双极晶体管进行退火处理，得到退火双极晶体管。本申请对样本双极晶体管施加复合应力以确定双极晶体管的退火条件，基于退火条件对辐照后的双极晶体管进行退火，完成退火操作，退火的操作过程不需要依赖温度，能快速完成原位退火，提高器件的可靠性。

主权项：1.一种双极晶体管辐射缺陷退火方法，其特征在于，包括：获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管；对所述样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对所述样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，若所述样本双极晶体管的基极电流变化量随所述电流密度的增大而减小，则将对应的所述电流密度及所述偏置电压设置为辐射退火条件；对所述待退火双极晶体管进行辐照，基于所述辐射退火条件对辐照后的待退火双极晶体管进行退火处理，得到退火双极晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质

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