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【发明公布】一种防止窄间隙杂质残留的结构及实施方法_杭州大和热磁电子有限公司_202311776646.4 

申请/专利权人:杭州大和热磁电子有限公司

申请日:2023-12-21

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117733398A

主分类号:B23K33/00

分类号:B23K33/00;B23K37/00;B08B3/02;B08B3/08

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明公开了一种防止窄间隙杂质残留的结构,包括焊接并具有窄间隙的法兰与筒体;所述法兰的端面设置有开孔,所述法兰的内壁设置有连通于开孔的通孔;其中,所述法兰的内壁对应通孔孔口处设置有导向沟槽,导向沟槽侧部设置有焊接坡口;所述筒体的底端与焊接坡口之间设置有内侧焊缝;所述筒体的外壁与法兰的端面之间设置有外侧焊缝。在焊接的法兰与筒体之间保留清理通道,完成焊接后通过气流与水流配合完成对窄间隙的清理,从而实现对窄间隙的有效清理。

主权项:1.一种防止窄间隙杂质残留的结构,其特征在于:包括焊接并具有窄间隙的法兰与筒体;所述法兰的端面设置有开孔,所述法兰的内壁设置有连通于开孔的通孔;其中,所述法兰的内壁对应通孔孔口处设置有导向沟槽,导向沟槽侧部设置有焊接坡口;所述筒体的底端与焊接坡口之间设置有内侧焊缝;所述筒体的外壁与法兰的端面之间设置有外侧焊缝。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 杭州大和热磁电子有限公司 一种防止窄间隙杂质残留的结构及实施方法

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