申请/专利权人：韩华新能源(启东)有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737697A

主分类号：C23C16/44

分类号：C23C16/44;H01L31/18;C23C16/40;C23C16/24;C23C16/54;C23C16/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，包括：1对制绒后的硅片进行如下处理：先对制绒后的硅片正面进行硼掺杂，设置硼扩温度为1030‑1070℃，氧化驱入时间4000s‑5200s；再在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和非晶硅层；然后在所述硅片背面进行磷掺杂，设置磷扩温度为870‑920℃；2对硅片依次进行链式清洗、槽式清洗、预清洗、去绕镀、后清洗、第一次酸洗、碱洗、第二次酸洗、慢提拉、烘干步骤。本发明提供的清洗方法，在保证去绕镀清洗效果的同时，清洗后外观良好，良率接近100％，最终成品电池外观正常，电池效率正常，提高LPCVD工序100％的产能，大大降低生产成本。

主权项：1.一种用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法，其特征在于，包括：1对制绒后的硅片进行如下处理：先对制绒后的硅片正面进行硼掺杂，设置硼扩温度为1030-1070℃，氧化驱入时间4000s-5200s；再在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和非晶硅层；然后在所述硅片背面进行磷掺杂，设置磷扩温度为870-920℃；2对硅片依次进行链式清洗、槽式清洗、预清洗、去绕镀、后清洗、第一次酸洗、碱洗、第二次酸洗、慢提拉、烘干步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 韩华新能源(启东)有限公司 一种用于TOPCon电池LPCVD双插清洗方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD