申请/专利权人：哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司;哈尔滨工业大学

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747439A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L23/495

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，公开了一种双列直插型金属陶瓷小规模集成电路器件封装工艺，原材料包括器件管壳、带金锡焊料环的盖板、合金焊料片、芯片和键合丝，器件管壳为金属陶瓷材料，器件管壳的芯腔及两侧均设置有导电区，器件管壳的两侧设置有引出端，合金焊料片为金锡或铅锡银焊料片，芯片的背面为金或银；封装工艺包括以下步骤：采用深腔合金焊料片回流焊接工艺将芯片焊接至器件管壳的芯腔处的导电区；采用深腔键合工艺将键合丝的两端键合至芯片和器件管壳两端的导电区；采用金锡熔封工艺将盖板与器件管壳密封，完成器件封装。本发明使封装的金属陶瓷小规模集成电路器件焊接空洞率低、热阻低、气密性好、可靠性高。

主权项：1.一种双列直插型金属陶瓷小规模集成电路器件封装工艺，原材料包括器件管壳、带金锡焊料环的盖板、合金焊料片、芯片和键合丝，其特征在于：所述器件管壳为金属陶瓷材料，所述器件管壳的芯腔及两侧均设置有导电区，所述器件管壳的两侧设置有引出端，所述合金焊料片为金锡或铅锡银焊料片，所述芯片的背面为金或银；所述封装工艺包括以下步骤：S1、采用深腔合金焊料片回流焊接工艺将芯片焊接至器件管壳的芯腔处的导电区；S2、采用深腔键合工艺将键合丝的两端键合至芯片和器件管壳两端的导电区；S3、采用金锡熔封工艺将盖板与器件管壳密封，完成器件封装。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司;哈尔滨工业大学 一种双列直插型金属陶瓷小规模集成电路器件封装工艺

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