申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747702A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/223;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种N‑TOPCon电池硼扩散方法、制备方法及电池、电池组件，属于TOPCON电池及组件技术领域，清洗后的硅片，采用PECVD工艺在正面沉积POLY层，并通入BH3，硼离子捕获电子形成硼单质，均匀分布在POLY层中，然后再对正面进行选择性制绒。本发明有益效果是：对清洗后的硅片进行正面POLY层沉积同时沉积硼单质，BH3在射频能量的引发下形成高能电子及硼离子，硼离子捕获电子形成硼单质，均匀的分布在POLY层中，形成掺杂；避免了高温环境激发放大硅基体内缺陷的情况，同时采用低温工艺，更节省能源。

主权项：1.N-TOPCon电池硼扩散方法，其特征在于，包括：清洗后的硅片，采用PECVD工艺在正面沉积POLY层，并通入BH3，硼离子捕获电子形成硼单质，均匀分布在POLY层中，然后再对正面进行选择性制绒。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 淮安捷泰新能源科技有限公司 N-TOPCON电池硼扩散方法、制备方法及电池、电池组件

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