申请/专利权人：本源量子计算科技(合肥)股份有限公司

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750871A

主分类号：H10N60/01

分类号：H10N60/01;H10N60/12;H10N60/80;C23C14/24;C23C14/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供了掩膜及其制备方法、应用、约瑟夫森结及其制备方法，所述掩膜包括层叠设置的基础层和图形层；所述基础层用于设置于衬底的表面，且所述基础层设置有暴露所述衬底的第一窗口；所述第一窗口上方的图形层设置有暴露所述第一窗口的第一开口和第二开口；其中，所述第一开口和所述第二开口不连通且在第一方向上间隔设置，所述第二开口满足以下条件：当沿所述第一方向在预设距离范围内平移所述第二开口时，所述第二开口位于所述第一开口的内部。通过该掩膜制备约瑟夫森结，其结构可以增大倾斜角度偏差的容忍性，提高结面积的稳定性，进而提高结电阻的稳定性。

主权项：1.一种掩膜，其特征在于，用于制备约瑟夫森结，所述掩膜包括层叠设置的基础层和图形层；所述基础层用于设置于衬底的表面，且所述基础层设置有暴露所述衬底的第一窗口；所述第一窗口上方的图形层设置有暴露所述第一窗口的第一开口和第二开口；其中，所述第一开口和所述第二开口不连通且在第一方向上间隔设置，所述第二开口满足以下条件：当沿所述第一方向在预设距离范围内平移所述第二开口时，所述第二开口位于所述第一开口的内部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 掩膜及其制备方法、应用、约瑟夫森结及其制备方法

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