申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747637A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L21/223;H01L21/265

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种具有N埋层的场限环终端结构及工艺方法，本发明所述的一种具有N埋层的场限环终端结构，在场限环注入前注入一层N埋层，N埋层可以有效地降低场限环的结深，使场限环在多一道推结的情况下与主结有相近的结深。同时可以有效的降低场限环边缘的曲率，在器件承担反向耐压时，空间电荷区边缘的曲率更缓，器件表面电场更平缓，相同的耐压效率下，仅需要更少的场限环数目，终端面积更小。可以缓解芯片成本和耐压效率之间的矛盾关系。且本发明的N埋层可以与场限环注入共用同一套Mask，无需增加新的Mask，不增加Mask成本。

主权项：1.一种具有N埋层的场限环终端结构，其特征在于：在P型场限环下方设置N型埋层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 龙腾半导体股份有限公司 一种具有N埋层的场限环终端结构及工艺方法

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