申请/专利权人：北京师范大学

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888060A

主分类号：C23C14/14

分类号：C23C14/14;C23C14/58;C23C14/08;C23C14/02;B82Y40/00;B82Y30/00;C01B19/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：一种限域薄层二维材料的制备方法及应用，包括以下步骤：S1.在衬底上定位纳米材料：将纳米材料分散于溶剂中形成悬浮液；将悬浮液分散在衬底上，所述纳米材料被衬底吸附；去除溶剂，以使所述纳米材料定位在衬底上；S2.在纳米材料限定的区域内，采用物理气相沉积方法原位生长金属膜；S3.将衬底升温至150‑220℃，退火处理3‑60min，纳米材料与金属膜受控反应形成限域薄层二维材料。本发明以纳米材料充当牺牲模板，限域原位制备与其他材料复合的高质量界面异质结构的薄层二维材料及其异质结构，制备完成的限域薄层二维材料异质结构可有效避免二维材料在剥离‑转移过程中的氧化问题。

主权项：1.一种限域薄层二维材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在衬底上定位纳米材料1.1将纳米材料分散于溶剂中形成悬浮液;1.2将悬浮液分散在衬底上，所述纳米材料被衬底吸附；1.3去除溶剂，以使所述纳米材料定位在衬底上；S2.在纳米材料限定的区域内，采用物理气相沉积方法原位生长金属膜；S3.将衬底升温至150-220℃，退火处理3-60min，纳米材料与金属膜受控反应形成限域薄层二维材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京师范大学 一种限域薄层二维材料的制备方法及应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD