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【发明授权】密封环、半导体器件以及终端装置_荣耀终端有限公司_202211602451.3 

申请/专利权人:荣耀终端有限公司

申请日:2022-12-07

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN116666308B

主分类号:H01L23/00

分类号:H01L23/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2023.09.15#实质审查的生效;2023.08.29#公开

摘要:本申请提供一种密封环,包括多层第一刻蚀停止层、多层第一介质层以及第一密封结构。多层第一介质层与多层第一刻蚀停止层交错并层叠设置;第一密封结构包括第一铜层、第二铜层以及多个第一铜柱,第一铜层以及第二铜层均呈环状,多个第一铜柱间隔设置于第一铜层与第二铜层之间;第一铜层、第二铜层以及第一铜柱均贯穿多层第一介质层以及多层第一刻蚀停止层,第一铜层、第二铜层以及第一铜柱均分别为一体结构。采用均为一体结构的第一铜层、第二铜层以及多个第一铜柱,减少了多个相关技术中的界面,密封环具有更高的强度,在激光切割晶圆形成半导体器件的过程中,能够有效防止裂纹延伸。本申请还提供一种半导体器件以及终端装置。

主权项:1.一种密封环,其特征在于,包括:多层第一刻蚀停止层;多层第一介质层,与多层所述第一刻蚀停止层交错并层叠设置;以及至少一第一密封结构,每一所述第一密封结构包括第一铜层、第二铜层以及多个第一铜柱,所述第一铜层以及所述第二铜层均呈环状,所述第二铜层围设于所述第一铜层并与所述第一铜层间隔设置,多个所述第一铜柱间隔设置于所述第一铜层与所述第二铜层之间;所述第一铜层、所述第二铜层以及所述第一铜柱均沿一方向贯穿多层所述第一介质层以及多层所述第一刻蚀停止层,所述第一铜层、所述第二铜层以及所述第一铜柱均分别为一体结构;多个所述第一铜柱排列成多排,多个所述第一铜柱在所述第一铜层上的投影为连续的。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 荣耀终端有限公司 密封环、半导体器件以及终端装置

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