申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2023-08-02

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750876A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10N70/00;H10B63/00

优先权：["20220921 JP 2022-150282"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明的实施方式涉及一种存储装置。实施方式的存储装置具备：第1导电层；第2导电层；第3导电层；电阻变化层，设置在第1导电层与第2导电层之间；以及开关层，设置在第2导电层与第3导电层之间。在第1导电层与第3导电层之间设有第2导电层。开关层包含：至少一种第1物质，从选自由Cr、La、Ce、Y、Sc、Zr及Hf所组成的群中的至少一种元素的氧化物、至少一种元素的氮化物、及至少一种元素的氮氧化物所组成的群中选择；第2物质，包含选自由Te、Se、Sb、Bi、Ge及Sn所组成的群中的至少一种金属；以及至少一种第3物质，选自由第2物质的氧化物、第2物质的氮化物、及第2物质的氮氧化物所组成的群。

主权项：1.一种存储装置，具备：第1导电层；第2导电层；第3导电层；电阻变化层，设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间；以及开关层，设置在所述第2导电层与所述第3导电层之间；在所述第1导电层与所述第3导电层之间设有所述第2导电层；且所述开关层包含：至少一种第1物质，从选自由铬Cr、镧La、铈Ce、钇Y、钪Sc、锆Zr及铪Hf所组成的群中的至少一种元素的氧化物、所述至少一种元素的氮化物、及所述至少一种元素的氮氧化物所组成的群中选择；第2物质，包含选自由碲Te、硒Se、锑Sb、铋Bi、锗Ge及锡Sn所组成的群中的至少一种金属；以及至少一种第3物质，选自由所述第2物质的氧化物、所述第2物质的氮化物、及所述第2物质的氮氧化物所组成的群。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 存储装置

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