申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747464A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/67;G01B11/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种氧化层厚度测量方法及装置，属于半导体制造技术领域。氧化层厚度测量方法，包括：在将晶圆送入紫外光腔室之前，对所述晶圆上每一区域的氧化膜厚度进行测量，得到第一厚度信息，其中，所述晶圆划分为多个区域；将所述晶圆送入紫外光腔室，在所述晶圆上生长氧化层；在生长氧化层后，对所述晶圆上每一区域的氧化膜厚度再次进行测量，得到第二厚度信息；利用所述第一厚度信息和所述第二厚度信息得到每一区域生长的氧化层的厚度。本发明的技术方案能够对电阻测试中的氧化层厚度进行监控。

主权项：1.一种氧化层厚度测量方法，其特征在于，包括：在将晶圆送入紫外光腔室之前，对所述晶圆上每一区域的氧化膜厚度进行测量，得到第一厚度信息，其中，所述晶圆划分为多个区域；将所述晶圆送入紫外光腔室，在所述晶圆上生长氧化层；在生长氧化层后，对所述晶圆上每一区域的氧化膜厚度再次进行测量，得到第二厚度信息；利用所述第一厚度信息和所述第二厚度信息得到每一区域生长的氧化层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 氧化层厚度测量方法及装置

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