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【发明公布】用于承载外延片的复合式载盘及C/C-SiC复合材料的制备方法_湖南三安半导体有限责任公司_202311756261.1 

申请/专利权人:湖南三安半导体有限责任公司

申请日:2023-12-19

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117737840A

主分类号:C30B25/12

分类号:C30B25/12;C23C16/26;C23C16/32;C23C16/458;C04B35/83;C04B35/565;C04B35/622

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本披露公开了一种用于承载外延片的复合式载盘及CC‑SiC复合材料的制备方法。所述用于承载外延片的复合式载盘包括石墨底座、外遮挡环和内遮挡环。所述石墨底座包括设置于石墨底座顶部的第一环形凸起;所述外遮挡环环形套设于所述石墨底座上的所述第一环形凸起的外侧;所述内遮挡环设置于所述石墨底座上的所述第一环形凸起处;其中,所述外遮挡环和所述内遮挡环配合以包覆所述第一环形凸起,所述外延片设置于所述石墨底座上的所述内遮挡环之间。如此解决了化学气相沉积形成的碳化硅遮挡环开裂的问题以及薄片石墨变形的问题。

主权项:1.一种用于承载外延片的复合式载盘,其特征在于,包括:石墨底座,所述石墨底座包括设置于石墨底座顶部的第一环形凸起;外遮挡环,所述外遮挡环环形套设于所述石墨底座上的所述第一环形凸起的外侧;内遮挡环,所述内遮挡环设置于所述石墨底座上的所述第一环形凸起处;其中,所述外遮挡环和所述内遮挡环配合以包覆所述第一环形凸起,所述外延片设置于所述石墨底座上的所述内遮挡环之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 湖南三安半导体有限责任公司 用于承载外延片的复合式载盘及C/C-SiC复合材料的制备方法

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