申请/专利权人：湘潭宏大真空技术股份有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117734249A

主分类号：B32B9/04

分类号：B32B9/04;B32B3/24;B32B33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种低阻高透ITO膜，包括SiO2基层，所述SiO2基层上附着低阻高透ITO层，所述低阻高透ITO层包括多层交替设置的ITO层和疏松SiO2层，所述低阻高透ITO层的底层为ITO层且与SiO2基层附着连接，所述低阻高透ITO层的表层为疏松SiO2层。该低阻高透ITO膜具有电阻率低、透光率高的优点。

主权项：1.一种低阻高透ITO膜，包括SiO2基层100，其特征在于：所述SiO2基层100上附着低阻高透ITO层200，所述低阻高透ITO层200包括多层交替设置的ITO层201和疏松SiO2层202，所述低阻高透ITO层200的底层为ITO层201且与SiO2基层100附着连接，所述低阻高透ITO层200的表层为疏松SiO2层202。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭宏大真空技术股份有限公司 一种低阻高透ITO膜

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