申请/专利权人：合肥中聚和成电子材料有限公司

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117887466A

主分类号：C09K13/08

分类号：C09K13/08;C23F1/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种一步刻蚀CuITO薄膜的蚀刻液，属于蚀刻液技术领域，蚀刻液包括如下重量百分比原料：过氧化氢12％‑21％；辅氧化剂0.4％‑1.6％；氟化物0.1％‑1.5％；螯合剂2％‑10％；稳定剂0.05％‑1％；缓蚀剂0.35％‑2％；pH调节剂0.1％‑2％；助剂0.05％‑0.2％；余量为水。其中，本发明核心：辅氧化剂、氟化物之间存在质量关系；螯合剂由质量比为1:4:3‑8的衣康酸、肉桂酸和阿魏酸混合而得；稳定剂为2‑氨基‑2‑羟甲基‑1,3‑丙二醇；缓蚀剂由质量比为3‑10:5的N‑苯基硫脲与甘氨酸混合而得；助剂为槐糖脂。本发明实现一步完成对两层薄膜结构的蚀刻，且刻蚀效果显著。

主权项：1.一种一步刻蚀CuITO薄膜的蚀刻液，其特征在于，包括如下重量百分比原料：过氧化氢12％-21％；辅氧化剂0.4％-1.6％；氟化物0.1％-1.5％；螯合剂2％-10％；稳定剂0.05％-1％；缓蚀剂0.35％-2％；pH调节剂0.1％-2％；助剂0.05％-0.2％；余量为水；所述辅氧化剂、氟化物之间存在的质量关系为：mA+nB＝5，其中，A为辅氧化剂，B为氟化物，且m＝1-4，n＝1-5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥中聚和成电子材料有限公司 一种一步刻蚀Cu/ITO薄膜的蚀刻液

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