申请/专利权人：深圳市松柏科工股份有限公司;珠海松柏科技有限公司;上海富柏化工有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878196A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;C23C18/18;C23C18/40;C23F1/18;C25D5/02;C25D3/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种光伏太阳能N型氧化物半导体ITO化学镀铜制作工艺，包括以下步骤：采用阳离子型调整剂对ITO薄膜进行表面调整处理，随后将其放置于氯化钠和盐酸的混合溶液中进行预浸处理，接着放置于胶体钯溶液中进行活化处理，再将ITO薄膜置于化学镀液中进行化学镀铜处理，水洗烘干后，在ITO薄膜表面上贴干膜，并通过LDI曝光机对干膜进行曝光显影后，得到线路图案，再对其电镀铜处理以加厚铜层；蚀刻处理，以去除电镀铜层之外的部分铜，形成所需的线路图案；本发明采用化学镀铜工艺在ITO薄膜上形成铜镀层，相比于传统的银浆印刷方式，不仅可避免产生银浆废料影响环境，还能避免在高温烘烤下对ITO薄膜的电转换率造成影响。

主权项：1.一种光伏太阳能N型氧化物半导体ITO化学镀铜制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用阳离子型调整剂对ITO薄膜进行表面调整处理；S2、将步骤S1得到的ITO薄膜水洗后，将其放置于氯化钠和盐酸的混合溶液中进行预浸处理；S3、将经过预浸处理的ITO薄膜放置于胶体钯溶液中进行活化处理；S4、将活化的ITO薄膜进行水洗，然后置于解胶溶液中进行解胶处理；S5、将经过解胶处理的ITO薄膜置于化学镀液中进行化学镀铜处理；S6、将步骤S5得到的ITO薄膜经过水洗烘干后，在ITO薄膜表面上贴干膜，并通过LDI曝光机对干膜进行曝光显影后，得到线路图案；S7、对步骤S6得到的ITO薄膜进行电镀铜处理，以加厚铜层；S8、对ITO薄膜进行蚀刻处理，以去除电镀铜层之外的部分铜，形成所需的线路图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市松柏科工股份有限公司;珠海松柏科技有限公司;上海富柏化工有限公司 一种光伏太阳能N型氧化物半导体ITO化学镀铜制作工艺

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