申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2021-08-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751434A

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L29/778

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请的实施例提供一种集成电路、功率放大电路及电子设备，涉及半导体技术领域，能够降低有源区到电极之间的通路上的电阻率，从而提高器件的效率。该集成电路包括：包括衬底，其中衬底上覆盖有晶体管；晶体管包含层叠设置于衬底上的沟道层、势垒层、以及设置在势垒层上的源极、漏极以及栅极；晶体管上还包括第一重掺杂区域和或第二重掺杂区域；其中，第一重掺杂区域贯穿势垒层以及沟道层，第一重掺杂区域与源极接触，并且第一重掺杂区域与衬底不接触；其中，第二重掺杂区域贯穿势垒层以及沟道层，第二重掺杂区域与漏极接触，并且第二重掺杂区域与衬底不接触；第一重掺杂区域以及第二重掺杂区域内设置有提供载流子的掺杂物。

主权项：一种集成电路，其特征在于：包括衬底，所述衬底上覆盖有晶体管；所述晶体管包含层叠设置于所述衬底上的沟道层、势垒层、以及设置在所述势垒层上的源极、漏极以及栅极；所述晶体管上还包括第一重掺杂区域和或第二重掺杂区域；其中，所述第一重掺杂区域贯穿所述势垒层以及所述沟道层，所述第一重掺杂区域与所述源极接触；所述第二重掺杂区域贯穿所述势垒层以及所述沟道层，所述第二重掺杂区域与所述漏极接触；所述第一重掺杂区域以及所述第二重掺杂区域内设置有提供载流子的掺杂物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 集成电路、功率放大电路及电子设备

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