申请/专利权人：东莞市若美电子科技有限公司;深圳若美电路发展有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737730A

主分类号：C23C28/00

分类号：C23C28/00;C25D11/16;C25D11/24;C25D11/18;C23C16/02;C23C16/26;C23C14/34;C23C14/16;C25D3/38;C25D7/00;C25D7/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种高导热铝基板制作工艺；通过离子束镀膜设备采用离子束氩气来轰击铝基板，从而进行PVD预处理，增加基材表面活性，接着在通过向真空镀膜室中通入气流量为450ccms,纯度为98％的乙炔气体，使之形成DLC涂层，有效增加其导热性以及绝缘性，最后通过开启分子泵得到铜导电层，使之通过DLC涂层代替现有的绝缘树脂，极大提升了其导热性能，使其导热性能可以达到210Wm·K，使得铝基板的导热能力得到较大提升，能快速将LED光源工作时产生的热量散发出去，有效增加了LED光源的使用寿命。

主权项：1.一种高导热铝基板制作工艺，其特征在于：包括有以下步骤：1将铝底基材先放入汽油中将表面油层溶解，并进行清洗，再将清洗后的基材放入氢氧化钠溶液中进行浸泡；2将基材放入酸性、碱性或复合碱性溶液中进行表面腐蚀粗化；3用微电弧氧化法对粗化后的基材进行阳极氧化处理；4将微电弧阳极氧化的板子直接放入封闭溶液或小分子量的绝缘浸渍漆浸渍；5将封闭溶液浸泡后的基材进行干燥处理；6干燥过的板子中取出一块，用夹子夹好，然后将其垂直吊挂在离子束镀膜设备的真空镀膜室的中间处，打开抽气离子束镀膜装置泵开始抽气，待镀膜室中的真空度达到0.5mPa后引入氩气，之后再将真空镀膜室内的真空度调整至100～500mPa，将电压调制至2000V，然后开启离子束电源开关，用离子束氩气来轰击铝基板；7PVD预处理完毕后，向真空镀膜室中通入气流量为450ccms,纯度为98％的乙炔气体，待真空镀膜室内的真空度达到5000mPa时开启电子束电源，将电压打到1500V后再开启偏压电源，并将射频偏压的频率调至13.56MHz,功率调至300W，沉积时间150min，从而得到DLC涂层；8开启分子泵，将真空镀膜室的温度调至580℃，待真空度降至3mPa后开启溅射电源开关，镀40min，从而得到铜导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞市若美电子科技有限公司;深圳若美电路发展有限公司 高导热铝基板制作工艺

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