申请/专利权人：北京中电科电子装备有限公司

申请日：2023-11-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747494A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;G06T7/00;G06V10/75

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供了一种GPP晶圆划片校正方法、电子设备及存储介质，包括：在标准GPP晶圆上确定第一校正点、第二校正点、第三校正点及第四校正点。通过模板匹配方法对待校正GPP晶圆上的第一校正点、第二校正点、第三校正点及第四校正点实施定位，获得各校正点的位置坐标。计算第三校正点、第四校正点与第一校正点和第二校正点的连线之间的第一实际距离、第二实际距离。并获取第三校正点、第四校正点与第一校正点和第二校正点的连线之间的理论距离。根据第一实际距离和理论距离计算出第一校正系数，以及根据所述第二实际距离和理论距离计算出第二校正系数。划片过程中通过的第一校正系数和第二矫正系数对切割道位置实施补偿，即可消除翘曲带来的影响。

主权项：1.一种GPP晶圆划片校正方法，其特征在于，所述GPP晶圆划片校正方法包括：在标准GPP晶圆上确定第一校正点、第二校正点、第三校正点及第四校正点，其中，第一校正点位于第一竖向切割道与第一横向切割道的交叉位置处；第二校正点位于所述第一竖向切割道与第二横向切割道的交叉位置处；第三校正点位于第二竖向切割道与第三横向切割道的交叉位置处；第四校正点位于第三竖向切割道与所述第三横向切割道的交叉位置处；所述第一竖向切割道位于GPP晶圆的中间区域，所述第二竖向切割道和所述第三竖向切割道位于所述第一竖向切割道的两侧且与所述第一竖向切割道之间的距离相等；创建切割道交叉位置匹配模板；通过模板匹配方法对待校正的GPP晶圆上的第一校正点、第二校正点、第三校正点及第四校正点实施定位，获得第一校正点、第二校正点、第三校正点及第四校正点的实际位置坐标；计算第三校正点与第一校正点和第二校正点的连线之间的第一实际距离，及第四校正点与第一校正点和第二校正点的连线之间的第二实际距离；获取第三校正点与第一校正点和第二校正点的连线之间的，以及第四校正点与第一校正点和第二校正点的连线之间的理论距离；根据所述第一实际距离和所述理论距离计算出第一校正系数，以及根据所述第二实际距离和所述理论距离计算出第二校正系数。

全文数据：

权利要求：

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