申请/专利权人：通威太阳能(成都)有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747676A

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/24;C23C16/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池。上述钝化接触结构的制备方法在衬底上依次形成隧穿层、本征非晶硅层和掺杂氧化层，并依次进行激光刻蚀处理和碱抛处理形成槽底为衬底中的刻蚀槽。上述制备方法在碱抛处理之后进行热扩散处理，使掺杂氧化层中的杂质扩散至本征非晶硅层，并使本征非晶硅层晶化，形成掺杂多晶硅层。如此，在激光刻蚀处理时，掺杂多晶硅层还未形成，因此不会由于激光诱导在本征非晶硅层中形成重掺杂区域，后续碱抛处理时，碱抛液能够对本征非晶硅层进行更为均匀的刻蚀，减少局部碱抛不净的情况。

主权项：1.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成隧穿层；在所述隧穿层上形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上形成掺杂氧化层；进行激光刻蚀处理，形成刻蚀槽，所述刻蚀槽贯穿所述掺杂氧化层，并延伸至所述本征非晶硅层中；进行碱抛处理，使所述刻蚀槽的槽底延伸至所述衬底中；在所述碱抛处理之后，进行热扩散处理，使所述掺杂氧化层中的杂质扩散至所述本征非晶硅层，并使所述本征非晶硅层晶化，形成掺杂多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通威太阳能(成都)有限公司 钝化接触结构及其制备方法、太阳电池

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD