申请/专利权人：苏州烯晶半导体科技有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117735533A

主分类号：C01B32/17

分类号：C01B32/17;C01B32/159;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，属于纳米管表面分子去除技术领域，该方法包括：对表面具有共轭聚合物材料的碳纳米管在保护气氛下进行退火处理，使得制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，以去除部分共轭聚合物材料；采用溶剂对经过退火处理的碳纳米管进行旋转冲洗；对经过冲洗的碳纳米管在保护气氛下再次进行退火处理。本申请提供的方法，能够保证制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，从而达到去除碳纳米管表面的共轭聚合物材料效果；可去除干净碳纳米管表面有共轭聚合物材料，且在去除过程中不会破坏碳纳米管得形貌。

主权项：1.一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对表面具有共轭聚合物材料的碳纳米管在保护气氛下进行退火处理，使得制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，以去除部分共轭聚合物材料；采用溶剂对经过退火处理的碳纳米管进行旋转冲洗；对经过冲洗的碳纳米管在保护气氛下再次进行退火处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州烯晶半导体科技有限公司 去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法

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