申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737676A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/08;B05D1/00;H01L21/02;H01L23/64

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体模拟器件制备技术领域，具体公开一种MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法，包括以下步骤：（1）提供沉积有底层金属电极的衬底；（2）在步骤（1）所述衬底上溅射绝缘体薄膜，所述绝缘体薄膜包括复合陶瓷薄膜，所述复合陶瓷薄膜采用射频磁控溅射的方法在衬底上溅射得到，所述复合陶瓷为基于铋、钡的钙钛矿钛酸盐氧化物；本发明以钙钛矿钛酸盐氧化物替代常规的二氧化硅、氮化硅等绝缘体薄膜，该绝缘体薄膜显著提高了MIM电容器的电容密度。

主权项：1.一种MIM电容器中绝缘体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供沉积有底层金属电极的衬底；（2）在步骤（1）所述衬底上溅射绝缘体薄膜，所述绝缘体薄膜包括复合陶瓷薄膜，所述复合陶瓷薄膜的制备方法是，以复合陶瓷为靶材，在不高于10-3Pa的背底真空和氧气-氩气混合气氛条件下，采用射频磁控溅射的方法在衬底上溅射得到；其中，所述复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：以Bi2O3、Na2CO3、TiO2为原料，按化学式Bi0.5Na0.5TiO3的摩尔比例准确称取各原料，充分混合研磨至均匀，干燥后置于高温炉中进行煅烧，煅烧温度500-560℃，煅烧保温时间1-3h，得到第一产物；以BaO、Sb2O3、Sb2O5、TiO2为原料，按化学式BaTixSb1-xO3的摩尔比例准确称取各原料，充分混合研磨至均匀，干燥后置于高温炉中进行煅烧，煅烧温度550-600℃，煅烧保温时间1-2h，得到第二产物；将所述第一产物与所述第二产物混合并研磨至均匀，干燥后压制成型，置于高温炉中进行煅烧，煅烧温度400-500℃，煅烧保温时间1-2h，制得所述复合陶瓷；其中，x的取值满足：0.8≤x≤1.0；所述混合气氛中氧气与氩气的体积比为1：（0.5-2），溅射功率为200-400W、工作压力为0.5-1Pa。

全文数据：

权利要求：

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