申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2022-02-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751522A

主分类号：H03H9/24

分类号：H03H9/24;H03H3/007

优先权：["20210729 JP 2021-124547"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：谐振装置1具备：第1基板50，其包括第1硅基板P10和谐振器10；第2基板30，其与第1基板50相向；以及框状的接合部H，其将第1基板50与第2基板30接合而使谐振器10的振动空间密封，谐振器10具有：单晶硅膜F2；以及由单晶硅膜F2和第1硅基板P10夹着的第1氧化硅膜F21，第1氧化硅膜F21被在俯视第1基板50时以包围谐振器10的振动部110的框状形成的第1阻隔构件B11分断，在第1基板50和第2基板30中第1基板50的谐振器10设置有贯通单晶硅膜F2和第1氧化硅膜F21的贯通孔，在贯通孔的内部设置有第1阻隔构件B11，第1阻隔构件B11的氦透过性比第1氧化硅膜F21低。

主权项：1.一种谐振装置，其特征在于，具备：第1基板，其包括第1硅基板和谐振器；第2基板，其与所述第1基板相向；以及框状的接合部，其将所述第1基板与所述第2基板接合而使所述谐振器的振动空间密封，所述谐振器具有：单晶硅膜；以及由所述单晶硅膜和所述第1硅基板夹着的第1氧化硅膜，所述第1氧化硅膜被在俯视所述第1基板时以包围所述谐振器的振动部的框状形成的第1阻隔构件分断，在所述第1基板和所述第2基板中所述第1基板的所述谐振器设置有贯通所述单晶硅膜和所述第1氧化硅膜的贯通孔，在所述贯通孔的内部设置有所述第1阻隔构件，所述第1阻隔构件的氦透过性比所述第1氧化硅膜低。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社村田制作所 谐振装置及其制造方法

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