申请/专利权人：苏州威华智能装备有限公司

申请日：2022-09-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747456A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及光伏硅片检测技术领域，它涉及一种硅片参数检测方法及装置，检测方法包括以下步骤：设置参考组，参考组具有第一参考点和第二参考点，第一参考点与第二参考点相对；将硅片上的线区域从参考组的第一参考点和第二参考点之间穿过；获取第一参考点与线区域一侧内各点之间的第一高度；获取第二参考点与线区域另一侧内各点之间的第二高度；根据上述获取的测量数据，生成硅片参数；其中，硅片参数包括硅片厚度、硅片总厚度变化TTV和硅片线痕高度中的一个或两个以上。本发明通过非接触式光学法可以对硅片厚度、硅片总厚度变化TTV和硅片线痕高度等尺寸进行测量。

主权项：1.一种硅片参数检测方法，其特征在于，包括以下步骤：设置参考组，所述参考组具有相对的第一参考点和第二参考点；将硅片上的线区域从参考组的第一参考点和第二参考点之间穿过，以获取第一参考点与线区域一侧内各点之间的第一高度、且获取第二参考点与线区域另一侧内各点之间的第二高度；根据参考组内第一参考点与第二参考点之间的距离、第一参考点与线区域一侧内各点之间的第一高度和第二参考点与线区域另一侧内各点之间的第二高度，生成硅片参数；其中，硅片参数包括硅片厚度、硅片总厚度变化TTV和硅片线痕高度中的一个或两个以上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州威华智能装备有限公司 一种硅片参数检测方法及装置

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