申请/专利权人：大连科利德光电子材料有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117736235A

主分类号：C07F7/12

分类号：C07F7/12;C07F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及电子特气的制备方法，尤其涉及甲基三氯硅烷的提纯方法，其包括以下步骤：（S.1）将吸附填料置于精馏塔中；（S.2）将工业级甲基三氯硅烷与硅胶颗粒置于精馏罐中，搅拌使得甲基三氯硅烷与硅胶颗充分接触，从而完成一级吸附；（S.3）对精馏罐内部物料进行加热，使得甲基三氯硅烷蒸汽进入到精馏塔中并与吸附填料充分接触，从而完成二级吸附；（S.4）收集从精馏塔中的馏分，得到电子级高纯甲基三氯硅烷。本申请中通过多种方案联用，能够有效去除甲基三氯硅烷中的杂质，尤其针对通过传统的精馏手段难以去除的硼化合物、磷化合物以及金属离子具有良好的效果，能够仅仅依靠单塔精馏的方式实现电子级高纯甲基三氯硅烷的纯化生产。

主权项：1.甲基三氯硅烷的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：（S.1）将吸附填料置于精馏塔中；其中，所述吸附填料包括黏土类填料基体，所述黏土类填料基体的表面负载有机硅树脂偶联层；所述有机硅树脂偶联层的表面化学键合有包含具有孔径大小不等的冠醚结构的接枝链段；（S.2）将工业级甲基三氯硅烷与硅胶颗粒置于精馏罐中，并对精馏罐内部物料进行搅拌，使得甲基三氯硅烷与硅胶颗充分接触，从而完成一级吸附；（S.3）对精馏罐内部物料进行加热，使得甲基三氯硅烷蒸汽进入到精馏塔中并与吸附填料充分接触，从而完成二级吸附；（S.4）收集从精馏塔中的馏分，得到电子级高纯甲基三氯硅烷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大连科利德光电子材料有限公司 甲基三氯硅烷的提纯方法

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