申请/专利权人：复旦大学

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747434A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了围栅晶体管中底部pin结结构的制备方法，包括：提供一衬底、交替堆叠于衬底上的若干沟道层与若干牺牲层，以及沿第一方向横跨其上的假栅结构；假栅结构沿第二方向的两侧的第一源区空腔和第一漏区空腔；第一方向垂直于若干沟道层的延伸方向；第二方向垂直于第一方向；形成沟道保护层；沟道保护层覆盖于剩余的若干沟道层的侧壁；过刻衬底直至第一深度，以分别形成第二源区空腔和第二漏区空腔；所述第二源区空腔和所述第二漏区空腔沿所述第二方向依次排列；在第二漏区空腔与第二源区空腔中形成第二漏区与第二源区；第二源区中掺杂第一离子或第二离子，第二漏区中掺杂有掺杂第二离子或第一离子；去除沟道保护层。

主权项：1.一种围栅晶体管中底部pin结结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底、若干沟道层、若干牺牲层以及假栅结构；所述若干沟道层与所述若干牺牲层交替堆叠于所述衬底上；所述假栅结构沿第一方向横跨所述若干沟道层与所述若干牺牲层；所述假栅结构沿第二方向的两侧分别形成第一源区空腔和第一漏区空腔；其中，所述第一方向垂直于所述若干沟道层的延伸方向；所述第二方向垂直于所述第一方向；形成沟道保护层；所述沟道保护层覆盖于所述若干沟道层的侧壁；过刻所述衬底直至第一深度，以分别形成第二源区空腔和第二漏区空腔；所述第二源区空腔和所述第二漏区空腔沿所述第二方向依次排列；在所述第二漏区空腔与所述第二源区空腔中形成所述第二漏区与所述第二源区；其中，所述第二源区中掺杂第一离子或第二离子，所述第二漏区中掺杂有掺杂第二离子或第一离子；去除所述沟道保护层，以分别在所述第二漏区空腔与所述第二源区空腔中形成所述第二漏区与所述第二源区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 围栅晶体管中底部pin结结构的制备方法

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