申请/专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

申请日：2024-02-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750868A

主分类号：H10N30/853

分类号：H10N30/853;H10N30/88;H10N30/072

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种复合压电衬底及其制备方法。该复合压电衬底包括：层叠设置的支撑基板、辅助键合层和压电材料层；辅助键合层与压电材料层键合连接；压电材料层的材料包括铌酸锂或钽酸锂；支撑基板的材料包括采用化学气相沉积法制备的多晶碳化硅，支撑基板内部的多晶碳化硅晶粒具有预设长度比、预设取向的晶粒占比之差和预设尺寸范围；其中，预设长度比为多晶碳化硅晶粒平行于支撑基板的厚度方向的长度与多晶碳化硅晶粒平行于支撑基板的延伸方向的长度之间的比值。本发明实施例的技术方案可在保证压电器件具有较高Q值的情况下，降低支撑基板的加工难度和成本。

主权项：1.一种复合压电衬底，其特征在于，包括：层叠设置的支撑基板、辅助键合层和压电材料层；所述辅助键合层与所述压电材料层键合连接；所述压电材料层的材料包括铌酸锂或钽酸锂；所述支撑基板的材料包括采用化学气相沉积法制备的多晶碳化硅，所述支撑基板内部的多晶碳化硅晶粒具有预设长度比、预设取向的晶粒占比之差和预设尺寸范围；其中，所述预设长度比为所述多晶碳化硅晶粒平行于所述支撑基板的厚度方向的长度与所述多晶碳化硅晶粒平行于所述支撑基板的延伸方向的长度之间的比值。

全文数据：

权利要求：

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