买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】基于有机单晶台阶缺陷的气敏传感器及其制备方法与应用_山东大学深圳研究院;山东大学_202311683904.4 

申请/专利权人:山东大学深圳研究院;山东大学

申请日:2024-01-11

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117740889A

主分类号:G01N27/12

分类号:G01N27/12

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明属于有机半导体晶体材料及气体检测技术领域,涉及基于有机单晶台阶缺陷的气敏传感器及其制备方法与应用。所述气敏传感器包括至少一个晶体传感器,所述晶体传感器为电阻式两电极器件,所述电阻式两电极器件的两个电极之间设置导电沟槽,所述导电沟槽内设置有机单晶层;所述有机单晶层的厚度不低于1μm,使得所述有机单晶层上含有台阶;所述有机单晶层的材质为β相n型半导体萘酰亚胺单晶,且单晶的π‑π堆积方向与台阶垂直。本发明提供的气敏传感器能够特异性对氨气进行检测,且经过优化后能够实现超高灵敏度和超宽范围的检测。

主权项:1.一种基于有机单晶台阶缺陷的气敏传感器,其特征是,所述气敏传感器包括至少一个晶体传感器,所述晶体传感器为电阻式两电极器件,所述电阻式两电极器件的两个电极之间设置导电沟槽,所述导电沟槽内设置有机单晶层;所述有机单晶层的厚度不低于1微米,使得所述有机单晶层上含有台阶;所述有机单晶层的材质为β相Cl2-NDI单晶,且单晶的π-π堆积方向与台阶垂直。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东大学深圳研究院;山东大学 基于有机单晶台阶缺陷的气敏传感器及其制备方法与应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。