申请/专利权人：江苏先丰纳米材料科技有限公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750856A

主分类号：H10K71/13

分类号：H10K71/13;H10K77/10;H10K85/20;H10K30/60;H10K30/84

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于光电探测器领域，涉及一种异质结构光电探测器的制备方法及异质结构光电探测器，异质结构光电探测器的制备方法包括：1）制备二氧化硅衬底；2）采用化学气相沉积法在二氧化硅衬底生长石墨烯薄膜；3）在生长完石墨烯的二氧化硅衬底上蒸镀电极；4）合成碳量子点溶液；5）将碳量子点溶液直接打印在电极的沟槽间，形成异质结构光电探测器。本发明提供了一种可大大降低因繁琐的转移而带来的损耗和污染、有效地减少了器件的制造步骤、成本低以及效率高的异质结构光电探测器的制备方法及异质结构光电探测器。

主权项：1.一种异质结构光电探测器的制备方法，其特征在于：所述异质结构光电探测器的制备方法包括以下步骤：1）制备二氧化硅衬底；2）采用化学气相沉积法在二氧化硅衬底生长石墨烯薄膜；3）在生长完石墨烯的二氧化硅衬底上蒸镀电极；4）合成碳量子点溶液；5）将步骤4）所得到的碳量子点溶液直接打印在步骤3）电极的沟槽间，形成异质结构光电探测器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏先丰纳米材料科技有限公司 异质结构光电探测器的制备方法及光电探测器

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