申请/专利权人：武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737859A

主分类号：C30B29/46

分类号：C30B29/46;C30B25/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法，所述具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶具有正方形纳米片结构，正方形纳米片以平行方式排列生长，双轴拉伸应变为2.8～8％。本发明提供的二维Bi2O2Se单晶双轴拉伸应变高达2.8～8％，样品出现理论研究中预测的铁电性，在铁电存储材料方面有着广阔的应用前景。

主权项：1.一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶，其特征在于，所述二维Bi2O2Se单晶具有正方形纳米片结构，正方形纳米片以平行方式排列生长，双轴拉伸应变为2.8～8％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司 一种具有双轴拉伸应变的二维Bi₂O₂Se单晶及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD