申请/专利权人：南京优存科技有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117746950A

主分类号：G11C16/08

分类号：G11C16/08;G11C16/12;G11C16/24;G11C16/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本公开提供了一种非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路，非易失性存储芯片包括原始存储阵列、译码器模块和参考电流模块；原始存储阵列包括若干个第一存储单元；译码器模块用于在若干个第一存储单元中选中用于读操作的目标存储单元；漏电流补偿电路包括补偿存储阵列，补偿存储阵列包括若干个第二存储单元；漏电流补偿电路用于在对目标存储单元执行读操作时，对目标存储单元所处位线上的第一漏电流进行补偿。本公开的漏电流补偿电路结构简单且易于实现，补偿电流的温度特性与原始存储阵列的真实漏电流相适配，无论高低温操作时，都能达到相适配的补偿效果，能够及时、有效且可靠的对未选中cell的漏电流进行补偿，提高了非易失性存储芯片的可靠性。

主权项：1.一种非易失性存储芯片的漏电流补偿电路，其特征在于，所述非易失性存储芯片包括原始存储阵列、译码器模块和参考电流模块；所述原始存储阵列包括若干个第一存储单元；所述参考电流模块用于为所述原始存储阵列提供读操作对应的参考电流；所述译码器模块用于在若干个所述第一存储单元中选中用于读操作的目标存储单元；所述漏电流补偿电路包括补偿存储阵列，所述补偿存储阵列包括若干个第二存储单元；其中，所述第二存储单元的数量和规格参数基于所述第一存储单元的数量和规格参数确定；所述漏电流补偿电路用于在对所述目标存储单元执行读操作时，对所述目标存储单元所处位线上的第一漏电流进行补偿。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京优存科技有限公司 非易失性存储芯片及其漏电流补偿电路

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